GeSi EAM · ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR

GeSi EAM 锗硅电吸收调制器

面向 AI 算力互连的核心调制单元

GeSi EAM 是面向 AI 数据中心高密度光互连开发的核心硅光子芯片产品。基于硅锗材料平台,聚焦 O 和 C 波段应用,面向单通道 200 Gb/s 级及更高速率的调制需求,旨在兼顾带宽密度、能耗和光电集成。以紧凑器件、低功耗调制和宽波长工作范围,为高密度硅光引擎提供核心调制单元。

CUSTOMER VALUE

紧凑、低功耗,
面向高密度光互连

围绕器件、电子芯片和封装协同开发,推动 GeSi EAM 向系统应用验证。以下指标为文案中的设计方向或目标。

01

紧凑尺寸与多通道集成

调制器尺寸小于 20 × 20 μm²,为多通道阵列集成预留空间。结合光电芯片协同设计,探索更高密度的光收发单元布局。

02

低功耗调制与低驱动电压

含驱动器的能耗约为 2 pJ/bit;通过与电子芯片协同集成,进一步面向低于 4 pJ/bit 的光收发方案能耗目标推进开发。

03

宽波长范围适配

以约 30 nm 的工作波长范围,为多波长通道配置提供选择空间。具体通道数与间隔按系统方案确定。

04

简化温度控制需求

面向室温至 85 °C 的工作范围,根据芯片温度调整偏置点,旨在减少对实时闭环热调谐的依赖,简化多通道控制设计。

05

材料体系与集成经验

核心团队长期从事 Ge-Si 材料、硅光器件及工艺研发,参与 GeSi 与 Ge 电吸收调制器技术研究和产品商业化过程,具备流片、光电混合集成及光引擎开发经验。

DESIGN & DEVELOPMENT

技术规格

当前技术规格聚焦 C 波段。以下为设计方向或目标,正式产品规格及测试条件需进一步确认。

项目设计方向或目标
工作波段C 波段
调制速率单通道 200 Gb/s
调制器尺寸<20 × 20 μm²
能耗约 2 pJ/bit,含 Driver
工作温度室温至 85 °C
工作波长范围约 30 nm,支持 DWDM 方案设计

工作温度对应的测量位置、调制格式、误码率、偏置电压及能耗边界等条件,将在正式产品规格中明确。系统散热需求需结合整机方案评估。约 2 pJ/bit 为含 Driver 的调制能耗,低于 4 pJ/bit 为光收发方案的开发目标,两者边界不同。

APPLICATION

从 AI 集群互连,
走向高密度光引擎

产品规划覆盖近封装光学与共封装光学,重点面向 AI 集群内部的 Scale-up 光互连。

AI 集群 Scale-up 光互连

重点面向集群内部高带宽、低功耗互连需求,与系统客户协同定义波长、通道配置及光电接口。

NPO 光引擎及高密度模块

作为近期产品开发方向,将 GeSi EAM 集成于紧凑型光收发引擎,开展器件、驱动与封装的联合优化。

CPO 光引擎

面向后续光电共封装应用,规划多通道光收发阵列及 PIC 与 EIC 的高密度互联。
PHOTONIC & ELECTRONIC INTEGRATION

器件与光电芯片,
共同服务于光引擎

在整体光引擎方案中,GeSi EAM 与光电探测器 PD 构成 PIC 的核心收发器件,并与驱动器及跨阻放大器 TIA 协同设计。

01

调制器与驱动器

围绕调制速率、偏置条件与驱动接口,开展低功耗调制单元的协同设计。

02

光电芯片协同

联合考虑 EAM、PD、Driver 与 TIA 的接口,以及多通道光收发单元的集成布局。

03

封装与系统验证

围绕材料、器件与封装开展协同开发,结合光引擎方案推动系统应用验证。
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