GeSi EAM 是面向 AI 数据中心高密度光互连开发的核心硅光子芯片产品。基于硅锗材料平台,聚焦 O 和 C 波段应用,面向单通道 200 Gb/s 级及更高速率的调制需求,旨在兼顾带宽密度、能耗和光电集成。以紧凑器件、低功耗调制和宽波长工作范围,为高密度硅光引擎提供核心调制单元。
围绕器件、电子芯片和封装协同开发,推动 GeSi EAM 向系统应用验证。以下指标为文案中的设计方向或目标。
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调制器尺寸小于 20 × 20 μm²,为多通道阵列集成预留空间。结合光电芯片协同设计,探索更高密度的光收发单元布局。
02
含驱动器的能耗约为 2 pJ/bit;通过与电子芯片协同集成,进一步面向低于 4 pJ/bit 的光收发方案能耗目标推进开发。
03
以约 30 nm 的工作波长范围,为多波长通道配置提供选择空间。具体通道数与间隔按系统方案确定。
04
面向室温至 85 °C 的工作范围,根据芯片温度调整偏置点,旨在减少对实时闭环热调谐的依赖,简化多通道控制设计。
05
核心团队长期从事 Ge-Si 材料、硅光器件及工艺研发,参与 GeSi 与 Ge 电吸收调制器技术研究和产品商业化过程,具备流片、光电混合集成及光引擎开发经验。
当前技术规格聚焦 C 波段。以下为设计方向或目标,正式产品规格及测试条件需进一步确认。
工作温度对应的测量位置、调制格式、误码率、偏置电压及能耗边界等条件,将在正式产品规格中明确。系统散热需求需结合整机方案评估。约 2 pJ/bit 为含 Driver 的调制能耗,低于 4 pJ/bit 为光收发方案的开发目标,两者边界不同。
产品规划覆盖近封装光学与共封装光学,重点面向 AI 集群内部的 Scale-up 光互连。
在整体光引擎方案中,GeSi EAM 与光电探测器 PD 构成 PIC 的核心收发器件,并与驱动器及跨阻放大器 TIA 协同设计。
围绕调制速率、偏置条件与驱动接口,开展低功耗调制单元的协同设计。
联合考虑 EAM、PD、Driver 与 TIA 的接口,以及多通道光收发单元的集成布局。
无论是标准器件选型、光路耦合方案,还是联合开发需求,欢迎与技术团队沟通。